有望彻底改变内存现状！新一代3D X-DRAM技术亮相：容量提高10倍 快科技5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C，有望彻底改变DRAM内存的现状。这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构，预计将于2026年生产...
